Новый тип транзистора создан сотрудниками университета Иллинойса – Ко-Фэн Ченом (Kuo-Feng (Kevin) Chen) и профессором Гари Эденом (J. Gary Eden), директором лаборатории оптической физики и инженерии. Работа ученых опубликована в Applied Physics Letters, сообщает PhysOrg.
Идея разработки плазменного транзистора возникла при изучении возможностей более эффективного управления плазменными устройствами, такими как телевизоры с плазменным экраном.
Плазменный транзистор разработан на основе плазменной микроячейки и электронного эмиттера. По мнению его создателей, такой транзистор, в отличие от полупроводниковых аналогов, будет более надежным при работе с высоким напряжением и мощностью - газ и плазма не могут «перегореть».
Принцип работы прибора состоит в следующем. Эмиттер инжектирует электроны в слой плазмы – ионизированного газа неона. Как показали исследования, при сравнительно небольшом изменении напряжения (к примеру, 5 В) свойства плазменной микроячейки (ток и свечение в видимом диапазоне) существенно меняются, что позволяет использовать ее в качестве трехвыводного транзистора. В этом случае плазменный слой играет роль базы. Как и обычный полупроводниковый транзистор, микроплазменная ячейка способна работать как переключатель или усилитель.
До коммерческого внедрения нового транзистора пока еще далеко, признают ученые, однако уже сейчас можно предположить, что разработка найдет широкое применение в дисплеях мобильных телефонов высокого разрешения, портативных DVD-плеерах, экологических сенсорах и биомедицинских датчиках.
по материалам: http://rnd.cnews.ru/
